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隨著電力電子器件技術(shù)的發(fā)展，大功率器件在軌道交通、直流輸電、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域的市場迅猛發(fā)展，其中以IGBT器件表現(xiàn)尤為突出，在具體的應(yīng)用工況中，每一個IGBT模塊都需要一個專門的驅(qū)動器，IGBT驅(qū)動器對IGBT的運(yùn)行性能有著重大影響[1-3]。
傳統(tǒng)利用模擬電路實現(xiàn)的IGBT驅(qū)動器技術(shù)較成熟，運(yùn)行穩(wěn)定，但是由于其驅(qū)動器各參數(shù)設(shè)置大都采用硬件實現(xiàn)，參數(shù)調(diào)整比較復(fù)雜，不同型號的IGBT必須設(shè)計不同的驅(qū)動器，本文利用數(shù)字控制器對柵極控制，可以靈活的修改驅(qū)動器的軟件參數(shù)設(shè)置，來調(diào)整IGBT工作的性能，對于不同的IGBT型號，只需要加載不同的驅(qū)動程序，即可以解決傳統(tǒng)驅(qū)動器產(chǎn)品的型號匹配問題。
如圖1示，驅(qū)動器主要包括：高等級隔離電源、光纖通信接口、功率放大電路、檢測保護(hù)電路、數(shù)字控制器等五部分。
2.1高等級隔離電源
高壓IGBT驅(qū)動器設(shè)計中，電源設(shè)計是關(guān)鍵部分之一，電源的輸出功率決定了IGBT在實際工作中能夠使用的工作頻率，如果電源輸出功率不足，可能會在IGBT器件高頻工作時，出現(xiàn)欠壓現(xiàn)象，導(dǎo)致IGBT損耗增加，甚至造成IGBT損壞。
本設(shè)計中采用Ti公司的LM5025芯片設(shè)計反激式DC-DC電路(電路圖見圖2)，電路中的初級具有電流檢測軟起動功能，當(dāng)電流檢測電阻上的壓降達(dá)到0.25V時，對電源起到很好的過流保護(hù)作用。
2.2光纖通信接口
在用戶主控系統(tǒng)通信的接口設(shè)計上，選擇抗干擾能力強(qiáng)的光纖通信，防止控制信號被干擾出現(xiàn)誤觸發(fā)。光纖選用HFBR-1522、HFBR-2522，光纖電路如圖3。
2.3功率放大電路
選擇導(dǎo)通阻抗非常低的mosFET作為開關(guān)器件，構(gòu)成IGBT柵極功率輸出電路，如圖4，同時，采用多個柵極電阻切換的方式，實現(xiàn)不同條件下對IGBT性能的調(diào)整。在IGBT正常開關(guān)時，可以通過調(diào)整柵極電阻來控制器件的開關(guān)速度，達(dá)到優(yōu)化器件效率的目的。在IGBT出現(xiàn)工作異常時(例如短路)，可以通過調(diào)整柵極電阻來控制器件的工作狀態(tài)，防止器件損壞達(dá)到保護(hù)器件的目的。
2.4檢測保護(hù)電路
為防止IGBT器件工作中出現(xiàn)任何異常故障，驅(qū)動器需要對IGBT的狀態(tài)參數(shù)進(jìn)行檢測，如果發(fā)現(xiàn)異常，驅(qū)動器自動采取保護(hù)動作，并通知主控器。
欠壓檢測：目前各個IGBT廠商推薦IGBT器件工作時的柵極電壓為±15V(柵極最大承受電壓為±20V)，如果IGBT器件在工作中出現(xiàn)低于15V的情況，根據(jù)IGBT器件飽和壓降VCE與柵極電壓的關(guān)系(如圖5示)，隨著柵極電壓的下降，IGBT飽和壓降會增加，造成IGBT器件損耗增加，有可能會損壞器件，所以，必須對驅(qū)動器輸出柵極的電壓進(jìn)行檢測，如果出現(xiàn)欠壓開通情況，驅(qū)動器要立即進(jìn)行保護(hù)。同時需要注意，IGBT的短路電流與柵極電壓成正比，所以當(dāng)器件開通時柵極出現(xiàn)高于+15V電壓，器件如果出現(xiàn)故障會出現(xiàn)比正常工況更大的短路電流，所以驅(qū)動器必須確保柵極開通電壓處于合理的范圍內(nèi)。
